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芯片生產(chǎn)廢水處理工藝技術

標簽:芯片生產(chǎn)廢水處理

一. 芯片廢水來源:

今天漓源環(huán)保給大家介紹一下芯片生產(chǎn)廢水處理工藝技術,集成電路芯片制造生產(chǎn)工藝復雜,包括硅片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交叉,生產(chǎn)中使用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3?H2O等。

芯片生產(chǎn)廢水處理工藝技術

二. 芯片廢水分類

將生產(chǎn)廢水處理分為:含氨廢水處理系統(tǒng)、含氟廢水處理系統(tǒng)、CMP研磨廢水處理系統(tǒng)及酸堿廢水處理系統(tǒng)。

2.1 含氨廢水處理系統(tǒng)

含氨廢水有兩部分,一部分是濃氨氮廢水,主要含氨氮和雙氧水,氨氮濃度達400~1200mg/L;另一部分是稀氨廢水,主要含氟化氨,氨氮濃度低于100mg/L。

2.2 含氟廢水處理系統(tǒng)

工藝中采用CaCl2溶液代替?zhèn)鹘y(tǒng)去氟采用的消石灰,可減少氟化鈣污泥量、原料用量和堿液,同時,可避免粉態(tài)消石灰的逸散,防止管道堵塞,易于控制投加量,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定高效運行。

2.3 CMP研磨廢水處理系統(tǒng)

研磨廢水處理與含氟廢水處理很相近,若從節(jié)省投資的角度考慮,可以采用同一系統(tǒng)同時處理含氟和CMP研磨兩股廢水,否則,將增加額外的投資。

三. 處理工藝

3.1 二級反應+一級助凝十一級沉淀,系統(tǒng)出水氟離子濃度基本達到<Zomg/L要求;若增加一級沉淀,即用二級反應+沉淀+一級反應+沉淀的兩階段沉淀反應,系統(tǒng)出水氟離子濃度可控制在10mg/L以下。

3.2 濃氨吹脫吸收工藝—含氟廢水兩階段沉淀工藝(含氟廢水與CMP研磨廢水混合處理)—三級酸堿中和處理工藝。

3.3 兩級反應池、酸堿原液直接投加,運行出水不穩(wěn)定且藥劑消耗量很大。

3.4反沖洗過濾器,是一種利用濾網(wǎng)直接攔截水中的雜質,去除水體懸浮物、顆粒物,降低濁度,凈化水質,減少系統(tǒng)污垢、菌藻、銹蝕等產(chǎn)生,以凈化水質及保護系統(tǒng)其他設備正常工作的設備。經(jīng)反沖洗過濾器處理后的水質不但達到了規(guī)定的廢水排放標準,經(jīng)反沖洗過濾器處理后的水源可重復、循環(huán)利用有效的節(jié)省了水資源。

四、芯片生產(chǎn)廢水嚴重的污染的水資源及環(huán)境,有效治理芯片生產(chǎn)廢水已刻不容緩。

以上為漓源環(huán)保給大家介紹的芯片生產(chǎn)廢水處理工藝技術,更多的污水處理知識請咨詢漓源環(huán)保。

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